平面靶材等静压模具，ITO靶材等静压模具，溅射靶材等静压模具，旋转靶材等静压成型模具，以铝靶材制造过程为例，通过电解冶炼过程得到的普通铝锭的纯度一般在99%以上，普通的铝锭再经过偏析法、三层电解法或联合区域熔炼法可制得高纯铝锭，然后再对高纯铝锭进行锻造、轧制、热处理等，使铝锭内晶粒变细小、致密度增加以满足溅射所需铝靶材的要求。变形处理完成后，再焊接底板，然后对坯料进行机械加工，最后对靶材进行表面清洁处理等。铜、钛和钽等靶材的制造工艺除在具体的熔炼方法和加工工艺参数有不同之外，工艺过程基本相同。

粉末冶金铸造法是溅射靶材的另一种重要制造工艺。对于钨钛靶这类由两种熔点差别较大的金属组成的合金靶材则会选择粉末烧结工艺。粉末冶金工艺一般选用高纯、超细粉末作为原料，并使用热等静压方法成型，而热等静压工艺具有容易获得均匀细晶组织的优点。而热等静压工艺具有容易获得均匀细晶组织的优点。

1、溅射靶材行业的核心价值在于通过熔炼、提纯、加工和热处理等工艺对靶材的成分、微观组织结构、致密度和杂质等系列指标进行严格的控制，以满足溅射镀膜过程要求。靶材的质量水平会直接影响到沉积所得薄膜的均匀性和一致性，因此溅射靶材对纯度、致密度和组织均匀性等特性均有严格要求。靶材纯度方面，不同的下游应用要求会有所不同，超大规模集成电路芯片对溅射靶材的金属纯度的要求最高，通常要达到99.9995%（5N5）以上，平板显示器和太阳能电池等领域对金属纯度的要求略低，要求分别为99.999%（5N）和99.995%（4N5）。杂质会对沉积薄膜的构成污染，因此靶材的杂质含量也会有严格的标准要求。靶材的致密度与气孔的数量成反比，而气孔中的杂质气体在溅射过程中是污染源，因此靶材的致密度会对溅射的沉积速率、溅射膜粒子的密度和放电现象，以及薄膜的电学和光学性能有显著影响。靶材的成分，组织和晶粒度大小主要影响沉积薄膜的均匀性和质量的稳定性，成分和组织均匀性以及晶粒度大小等指标对于靶材的质量控制也是重中之重。

2、独立而成熟的生产制造技术和研发能力是高纯溅射靶材企业的立身之本。高纯溅射靶材行业以冶金提纯、塑形加工、热处理和机械加工等制造工艺过程为基础，信息技术等领域需求为导向，属于典型的技术密集型产业。半导体芯片，平板显示和信息储存等下游信息产业的产品更新快，技术日新月异，靶材制造企业作为上游关键材料的供应商也必须要求有充分的研发能力来同步更新其产品和技术。

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